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江苏省高校教师、实验技术、学生思想政治-南京邮电大学人事处

发布时间:

江苏省高校教师高级职务任职资格申报人员情况简表
学校名称 申报学科 最高学历 学位及 取得时间 南京邮电大学 电子科学与技术 博 士 研 究 生 2008.10 姓名 王伟 性别 男 出生年月 破格情况 现任专业 技术职务及 取得时间 1964.5 学历 资历 申报职务资 教授 格 现从事专业 电子科学与技术 研究方向 纳米电子器件 及年限 自 96 年至今 22 年
.07 2013.09-2014 .01 2014.02-2014 .07 2014.09-2015 .01 2015.02-2015 .07 2016.02-2016 .07 2016.09-2017 .01 2017.02-2017 .07 2017.09-2018 .01 2009.9-2017. 12 指导本科毕业设计 6 人 模拟电子技术 数字电路与逻辑设计 指导本科毕业设计 4 人 模拟电子线路 B 数字电路与逻辑设计 指导本科毕业设计 4 人 数字电路与逻辑设计 B 专业英语 数字电路与逻辑设计 A 指导本科毕业设计 4 人 专业英语 指导硕士生:09 级 1 名;10 级 6 名;11 级 5 名;12 级 3 名;13 级 2 名,14 级 2 名, 15 级 2 名,16 级 2 名,17 级 2 名,其中指 导的 09-14 级 19 名硕士生均已顺利毕业 专业基础课 专业基础课 专业基础课 专业基础课 专业基础课 专业基础课 专业基础课 专业基础课 B120903-04 B120204-05 B130905-06 B130203-04 B140411-0412 B130204 B150201-02 B140204 55 人 51 人 69 人 76 人 67 人 35 人 71 人 26 人 64 学时 64 学时 64 学时 64 学时 46 学时 8 学时 64 学时 8 学时

副教授 2007 年 5 月

高 等 职 业 院 校 教 师

专 业 累计天数 实 践 情 况

本科院校艺 术学科教师 开展个人专 场音乐会或 艺术创作 展演情况

艺术学科教师类型: □ 理论型 展演名称 举办层次 (校内或公开)

□ 实践型(请在所属类型前√) 举办时间 举办地点 主办单位

任综 现合 职奖 以励 来情 获况

荣誉称号、表彰奖励名称
1. 基于“5C”理念 强化能力培养 推进电子 信息类专业工程教育改革 2. 基于工程教育专业认证的电子科学与技 术专业建设实践 3. 校先进生产者 4. 培养硬件创新人才的电子电路类课程建 设

获奖 时间
2017.9 2017.3

授奖部门
江苏省政府 南京邮电大学

获奖级别
省教学成果特等奖 校教学成果一等奖

排名/总人数
5/10 3/6

教学质量综合考核等级

优秀

近五年学年度教学考 核情况
(高职院校教师和本科 院校艺术学科教师必须 填写)

学 年 度 考核结果 测评范围 测评人数 测评结果(指优良率%)

2010.4 2007.10

南京邮电大学 南京邮电大学

校级 校教学成果二等奖

1/1 4/5

起止时间
2007.02 2007.07 2007.09-2008 .01 2008.02-2008 .07

讲授课程名称及 其他教学工作
模拟电子电路 C 模拟电子电路 C 模拟电子电路 B 指导本科毕业设计 5 人 通信电路 通信电路 模拟电子线路 模拟电子线路 指导本科毕业设计 4 人 通信电路 通信电路 模拟电子线路 模拟电子线路 通信电路 通信电路 模拟电子线路 模拟电子线路 指导本科毕业设计 3 人 通信电路 通信电路 数字电路与逻辑设计 B 指导本科毕业设计 8 人 模拟电子线路 数字电路与逻辑设计 指导本科毕业设计 9 人 模拟电子线路 数字电路与逻辑设计

课程性质
专业基础课 专业基础课 专业基础课 专业基础课 专业基础课 专业基础课 专业基础课 专业基础课 专业基础课 专业基础课 专业基础课 专业基础课 专业基础课 专业基础课 专业基础课 专业基础课 专业基础课 专业基础课 专业基础课 专业基础课 专业基础课 专业基础课

授课对象及人数
B050301-03 B050308-11 重修班 M050023-24 B050207-10 B060214-16 B060227-29 B060217-20 B060227-29 B070216-19 B070501-02 B070210-12 B070401-03 B080211-13 B080226-28 B080208-10 B080227-228 B090601-03 M100018-21 M100022-25 M110019-22 M110015-18 99 人 151 人 130 人 62 人 140 人 95 人 96 人 126 人 98 人 149 人 79 人 121 人 70 人 114 人 112 人 119 人 86 人 87 人 142 人 139 人 139 人 144 人

总学时
48 学时 48 学时 43 学时 48 学时 48 学时 64 学时 64 学时 48 学时 48 学时 64 学时 64 学时 48 学时 48 学时 64 学时 64 学时 48 学时 48 学时 48 学时 64 学时 64 学时 64 学时 64 学时

工作业绩民主测评情 况
(仅限学生思想政治教 育教师、 教育管理研究人 员填写)

任现职以来发表、出版论文、论著、教材、教学参考书目录
题 目 何年何月在何刊物 发表或何出版社出版
Semiconductor Science and Technology , vol 31 , 035002(1-12), 2016,3 Journal of Semiconductor Technology and Science, vol 16, 91-105, 2016, 1 Semiconductor Science and Technology , vol 30 , 055018(1-9), 2015, 5 Journal of Semiconductor Technology and Science, vol 15, 131-144, 2015, 1 Fullerenes, Nanotubes and Carbon Nanostructures, vol 23, 315 – 319, 2014, 4 Journal of Semiconductor Technology and Science, vol 14, 615 – 624, 2014, 5 Materials Science in Semiconductor Processing, vol 21, 132 – 139, 2014,5

本人承担部分及 字数(注明排名)
1/7 1/7 1/9 1/9 1/6 1/9 1/6

获奖情况(注明奖励部门、 获奖级别及排名)
Sci 收录 Sci 收录 Sci 收录 Sci 收录 Sci 收录 Sci 收录 Sci 收录

任教 现学 职工 以作 来情 况

2008.09-2009 .01 2009.02-2009 .07 2009.09-2010 .01 2010.2-2010. 07 2010.09-2011 .01 2011.02-2011 .07 2011.09-2012 .01 2012.02-2012 .07 2012.09-2013 .01 2013.02-2013

1. Investigation of light doping and hetero gate dielectric carbon nanotube tunneling field-effect transistor for improved device and circuit-level performance 2. Channel and Gate Workfunction-Engineered CNTFETs for Low-Power and High-Speed Logic and Memory Applications 3. Performance analysis of an ultralow power circuit using single halo CNTFETs 4. Investigation of hetero - material - gate in CNTFETs for ultra low power circuits 5. The high-frequency performance of hetero-material-gate CNTFETs with gate underlap 6. Quantum transport simulations of CNTFETs: performance assessment and comparison study with GNRFETs 6. High - frequency and switching performance investigation of novel lightly-doped drain and source hetero – material - gate CNTFET

1

8. Transport study of gate and channel engineering on the surrounding-gate CNTFETs based on NEGF quantum theory 9. Quantum Simulation Study of single halo dual-material gate CNTFETs 10. Numerical study on the performance metrics of lightly doped drain and source graphene nanoribbon field effect transistors with double-material-gate 11. Simulation of the electrical characteristics of a one-dimensional quantum dot array 12. Modeling of high-k gate stack of tunnel barrier in nonvolatile memory MOS structure 13. The combined effects of halo and linear doping effects on the high-frequency and switching performance in ballistic CNTFETs 14. Quantum simulation study of double gate hetero gate dielectric and LDD doping graphene nanoribbon p–i–n tunneling FETs 15. A computational study of the effects of linear doping profile on the high-frequency and switching performances of hetero-material-gate CNTFETs 16.异质栅碳纳米管场效应管电学特性研究 17. Analysis of Lightly Doped Drain and Source Effects on the Hetero-material-gate MOSFET Performance Using Finite Element Method 18. Performance of asymmetric linear doping triple-material-gate GNRFETs 19. Quantum transport in hetero - material - gate CNTFETs with gate underlap: A Numerical study 20. 纳米 MOS 器件栅泄漏电流的模拟分析 21. 准一维碳纳米管的含时输运性质的研究 ( 英 文) 22.碳纳米管交流输运特性研究 23.电子科学与技术专业“学、 研”结合型人才培养 方案的研究与实践 24.面向卓越计划的电子科学与技术专业课程与 实践体系建设 25.电子类专业卓工培养方案设计与实践

Journal of Computational Electronics, vol 13, 192–197, 2014, 1 Solid State Electronics, vol 91, 147–151, 2014,1 Superlattices and Microstructures, vol 64 , 227–236, 2013, 9 Superlattices and Microstructures, vol 44, 721–727, 2008, 6 IEEE nano 2008, 8th IEEE Conference on Nanotechnology, 2008: 3–5. Journal of Semiconductors, vol 35, 114004(1–8), 2014, 11 Journal of Semiconductors, vol 35, 064006 (1–6), 2014, 6 Journal of Semiconductors, vol 34, 124002(1–6),2013,12

2016-8-17

1/7 1/11 1/6 1/4 1/5 1/8 1/5 1/10 1/9 1/8 1/7 1/6 1/3 4/4 6/6 1/6 1/4 1/4

Sci 收录
2015-7-8

Sci 收录 Sci 收录 Sci 收录 Ei 收录 Ei 收录 Ei 收录 Ei 收录

2015-9-2

一种双材料栅线性掺杂的石墨烯 场效应管 晕掺杂的双材料异质栅石墨烯纳 米条带场效应管 一种双材料欠叠异质栅结构的碳 纳米管场效应管

发明专利(ZL 201310141991.0) 发明专利(ZL 201310112320.1) 发明专利(ZL 201310010494.7)

第一发明人 第一发明人 第一发明人

1/3 1/3 1/3

任现职以来起草、制定的重要文件、报告(限学生思想政治教育教师、教育管理研究人员填写)
时间 文件、报告题目 本人角色 及承担部分 使用范围 及产生效益 备 注

微电子学, vol 43, 419-422,
2013, 9

同行专家鉴定意见 民意测验情况 学校学科评议组票 数 学校评审委员会票 数

专家 1 意见: 总人数 总人数 总人数 同意人 数 同意人 数 同意人 数

专家 2 意见: 反对人数 反对人数 反对人数

专家 3 意见: 弃权人数 弃权人数 弃权人数

固体电子学研究与进展,
vol 34, 321-329, 2014, 8

计算物理,vol 32, 115-126, 2015,2 计算物理,vol 32, 229-239,
2015, 4

第十五届全国半导体集成 电路、 硅材料学术会议论文 集 pp740-742,2007,11 固体电子学研究与进展,
vol 33, 317-322 , 2013, 8 南京邮电大学学报 ( 自然 科 学 版 ) vol 33, 122-126, 2013, 4

审核人(签名) :

(学校人事处公章)







中国科技信息/2012-9 黑龙江科技信息/2016-8 时代教育/2016-10

任现职以来承担并完成科研任务、取得科研成果情况
起止年月
2009.1-2011.12

科研项目、课题名称
基于标准 CMOS 工艺的新型表面 超级结射频 LDMOS 及其模型研 究(No 60806027) Graphene-based 新型自旋场效应 管研究(10KJD510006) 石墨烯场效应管超高频与太赫兹 工作机理和特性研究(NY211094) SOI 横向功率侧向板场新技术耐 压机理、 解析模型和工艺制备的研 究(No 61704084)

项目来源 及类别
国自基金青年项 目 江苏省高校自然 科学研究面上项 目 校科研项目 国自基金青年项 目

本人角色及 完成情况
骨干 已结题

成果获奖、专利及效益情况(注明授 奖部门、奖励级别及排名)
2/6 1/10 1/1 2/6

2010.9-2012.12

主持 主持 骨干

已结题 已结题 在研

2012.1-2012.12 2018.1-2020.12

2

3



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